SK하이닉스는 일본 도시바와 나노 임프린트 리소그래피(NIL·Nano Imprint Lithography) 기술 공동 개발을 위한 본 계약을 체결했다고 5일 밝혔다.
NIL 기술은 반도체 메모리 공정이 더욱 미세화하는 가운데 미세 패턴을 구현하는 데 적합한 차세대 공정 기술이다. 두 회사는 지난 12월 공동 개발 관련 업무협약을 체결한 바 있으며, 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 됐다.
NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이다. 실제 제품에 적용되는 것은 2017년경이 될 전망이다.
NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있다. 막대한 투자가 필요한 다른 공정기술과 달리 상대적으로 큰 투자 없이 양산이 가능한 것이 강점으로 꼽힌다.
SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발도 진행중이다. 지난해 상반기 터진 기술유출 사건으로 소송에 휘말렸던 양측은 지난해 말 소송을 취하하고 다시 전방위 협력 체제를 구축하고 있다.
김승규기자 seung@etnews.com