인텔과 마이크론이 지난 3월 26일(현지시간) 대당 48GB 대용량을 실현한 3D NAND 플래시 기술을 개발했다고 발표했다.
이에 따라 플로팅 게이트 셀을 채택한 3차원 NAND 기술을 이용해 셀을 수직으로 적층, 기존 NAND 기술과 견주면 3배에 달하는 용량을 지원한다. NAND 플래시를 32개 적층하면 셀당 2비트 MLC에선 256Gb(32GB), 셀당 3비트 TLC에선 384Gb(48GB) 대용량을 구현할 수 있다. 2.5인치 SSD라면 10TB가 넘는 대용량을 기대할 수 있는 것. 이들 제품은 모두 올해 4분기 양산에 들어갈 예정이다.
전자신문인터넷 테크홀릭팀
이상우기자 techholic@etnews.com