반도체 패키징·테스트 기업 에이티세미콘(대표 김진주)은 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3㎓)과 X대역(9㎓) 패키지를 개발했다고 13일 밝혔다.
한국전자통신연구원(ETRI)과 공동 연구해 개발했다. 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 갈륨나이트라이드(GaN)를 사용해 전력밀도를 최대 10배, 전력 효율을 최대 30% 이상 향상시켰다. GaN 전력 반도체 칩을 본딩할 때 열전도성이 높은 특수소재를 사용해 패키지 방열 기능을 높여 소자 효율과 신뢰성을 확보했다.
에이티세미콘 측은 “이동통신용 GaN RF(고주파) 전력 소자 패키지와 증폭기 모듈 등도 공동 개발 중”이라며 “향후 이동통신 분야에도 GaN RF 전력 소자 패키지나 증폭기 모듈 등 수요가 점차 증가할 것”으로 기대했다.
전력증폭기는 미약한 입력 신호를 크게 증폭시켜 안테나로 전파를 보내는 역할을 하는 장치다. GaN 트랜지스터 증폭기는 이동통신 중계기와 단말기, 위성에 탑재돼 전파를 송출하는 핵심부품으로 사용한다. X대역 전력 증폭기는 선박·군수용 단거리 레이더 증폭기로 사용한다.
배옥진기자 withok@etnews.com
