KAIST(총장 강성모)는 최양규 전기·전자공학부 교수와 이병현 연구원이 D램과 플래시 메모리를 융합한 새로운 융합메모리 반도체 소자를 개발했다고 21일 밝혔다.
D램은 동작 속도가 빠르지만 정보를 안정적으로 저장하려면 많은 전력이 소모된다. 반면에 플래시 메모리는 D램에 비해 동작속도가 느리다.
연구팀은 D램과 플래시 메모리의 기능을 하나의 트랜지스터로 모은 `전면 게이트 실리콘 나노선` 구조 메모리 소자를 개발했다.
트랜지스터 소형화, 나노선 면적 감소에 따른 메모리 소자 성능 저하 문제는 `나노선 5단 수직 적층 기술`로 해결했다. 수직 구조로 채널을 쌓기 때문에 면적 증가 없이 집적도가 향상되는 구조다. 수직 집적은 지난해 최 교수 연구팀이 개발한 `일괄 플라즈마 건식 식각 공정`을 활용했다.
이번 반도체 소자는 단일 소자에 비해 5배 향상된 성능을 보였다. 칩 사이즈 소형화, 전력 효율 개선, 패키징 공정 단순화로 제작비용 절감도 기대된다.
이병현 연구원은 지난해 이 기술로 비 메모리 반도체 소자 개발에 성공한데 이어 이번 연구로 고성능 융합 메모리 소자를 개발했다.
최양규 교수는 “이번 연구로 메모리 반도체 제작 공정과 성능 개선 및 실효성 향상이 기대된다”면서 “메모리 반도체 소형화를 계속 이어나갈 것”이라고 말했다.
대전=김영준기자 kyj85@etnews.com
