마이크론이 2세대 10나노급(1y나노) D램 양산에 뛰어들었다. 공정이 미세화할 수록 제품 생산성·전력소모·성능 등이 향상된다. 세계 최초 1y나노 D램 양산을 시작한 삼성전자에 이어 SK하이닉스도 1y나노 공정 개발이 임박해 메모리 업계 미세 공정 경쟁이 가열될 전망이다.
11일 외신과 업계에 따르면 마이크론은 1y나노 공정 기반으로 모바일용 12Gb LPDDR4X D램 양산을 시작했다. 제품은 회로 선폭을 10나노 중반대로 줄인 2세대 10나노급 공정이 사용됐다. 10나노 후반대인 1세대 10나노급(1x나노) 공정보다 더욱 미세화됐다. 마이크론은 올해 초부터 대만 타이청 공장에서 1x나노 D램 양산을 시작한 데 이어 1y나노 양산 체계로 발 빠르게 넘어갔다.
신제품은 이전 세대 제품과 유사한 데이터 전송 속도(4266Mb/s)로 최대 10%까지 소비 전력이 절감됐다. 마이크론은 이전 세대 제품보다 메모리 용량을 2배로 늘려 공간을 더 확보하지 않고도 최고 수준 용량을 지닌 단일형 LPDDR4 메모리 환경을 제공하게 됐다고 강조했다.
라지 탈루리 마이크론 수석 부사장은 “마이크론이 새로운 이정표를 세웠다”면서 “모바일 사용자가 증가된 성능·용량·배터리 수명을 요구하고 있다. 이 제품이 제조사가 풍부한 사용자 경험을 제공하게 해줄 것”이라고 말했다.
마이크론 가세로 D램 제조사 간 1y나노 제품 경쟁이 가열될 것으로 전망된다. D램 공정이 미세화될 수록 웨이퍼 한 장에서 생산되는 칩수가 늘어난다. 제조사는 동일 자원으로 더 많은 제품을 만들게 돼 생산성을 늘릴 수 있다. 성능 향상, 전력 소모량 감소에도 영향을 미친다.
SK하이닉스도 1y나노 D램 공정 개발을 앞두고 있다. 최근 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 올해 연말까지 1y D램 공정 개발을 마무리하고 내년부터 양산에 돌입한다고 발표했다. 1x 나노 공정 제품은 이미 2분기에 컨슈머 제품을 제외한 전 부문에 적용했다. 하반기 전체 D램 생산량 가운데 3분의 1까지 확대할 계획이다.
삼성전자는 이미 지난해 11월 세계 최초 1y나노 공정을 적용한 서버용 D램 양산을 시작했다. 올해 7월부터 모바일 D램에도 1y나노 공정을 적용해 양산하고 있다. 1y나노 D램을 전체 70% 이상으로 확대한다는 방침이다.
삼성전자는 1y나노 공정을 넘어선 초미세 공정도 개발하고 있다. 10나노대 초반(1z나노) 공정을 내년을 목표로 개발하고 있다. 향후 극자외선(EUV) 공정을 도입해 10나노 이하 차세대 D램 개발에도 나선다. EUV는 불화아르곤을 대체하는 노광 장비 광원이다. 기존 불화아르곤보다 파장 길이가 14분의 1보다 작아 세밀한 반도체 회로 패턴을 구현하는 데 적합하다. 이미 2월부터 평택캠퍼스 1단지 내 EUV 전용 라인을 구축하고 있다.
오대석기자 ods@etnews.com