로옴(ROHM) 주식회사는 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 최적인 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET 'SCT3xxx xR 시리즈' 6기종(650V / 1200V 내압)을 개발했다.
최근 AI 및 IoT의 도입에 따라, 클라우드 서비스에 대한 요구가 높아지고 있으며 전 세계적으로 데이터센터의 수요가 확대되고 있다. 데이터 센터 등에서 사용되는 서버의 경우, 대용량화 및 고성능화가 추진됨에 따라 소비전력량을 얼마나 저감할 수 있는지가 과제로 떠오르고 있다.
로옴이 이번에 개발한 시리즈는 SiC MOSFET가 지닌 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 4단자 패키지 (TO-247-4L)를 채용했다. 이에 따라, 기존의 3단자 패키지 (TO-247N) 대비 스위칭 손실을 약 35％ 저감, 각종 기기의 저소비전력화에 기여한다.
또한, SiC 디바이스의 구동에 최적인 로옴의 게이트 드라이버 IC (BM6101FV-C) 및 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 'P02SCT3040KR-EVK-001'도 제공함으로써, 디바이스 평가를 간단히 실시할 수 있는 솔루션을 제안하고 있다.
지금까지 서버의 전력 변환 회로에서는 실리콘 (Si) 디바이스가 주류를 이루고 있었지만, 한층 더 손실이 적은 SiC 디바이스가 주목을 받고 있다. 특히 TO-247-4L 패키지를 채용한 SiC MOSFET는 기존 패키지에 비해 스위칭 손실을 저감할 수 있으므로 서버 및 기지국, 태양광 발전 등의 고출력 어플리케이션에서의 채용이 기대되고 있다.
본 시리즈는 8월부터 월 50만 개의 생산 체제로 순차적 양산을 개시 (샘플 가격 : 2,100엔~, 세금 불포함)했다. 생산 거점은 로옴 아폴로 주식회사(후쿠오카)다. 또한, 본 시리즈 및 평가 보드는 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능하다.
전자신문인터넷 유은정 기자 (judy6956@etnews.com)