UAES-로옴, SiC 기술 공동 실험실 개설

UAES 부총경리 Guo Xiaolu(우)와 ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 이사장 Raita Fujimura(좌)
UAES 부총경리 Guo Xiaolu(우)와 ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 이사장 Raita Fujimura(좌)

중국의 종합 자동차기기 Tier1 메이커인 United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.(이하 UAES)와 로옴 주식회사(이하 로옴)는 중국 상하이의 UAES 본사 내부에 'SiC 기술 공동 실험실'을 개설하고, 2020년 10월에 개소식을 진행했다고 밝혔다.

SiC 파워 디바이스는 IGBT 등의 Si(실리콘) 파워 디바이스 대비 스위칭 손실 및 도통 손실이 적고 온도 변화에 강하다는 장점이 있다. 또한 극적인 저손실화를 실현할 수 있는 반도체로서 전기자동차를 비롯해 인프라, 환경·에너지, 산업기기 분야에서 채용이 추진되고 있다.

한편, UAES와 로옴은 2015년부터 기술 교류를 시작하여, SiC 파워 디바이스를 탑재한 오토모티브 애플리케이션 개발에 있어서 협력 관계를 구축 해왔다. 장기간의 기술 교류를 거쳐, 2020년에는 로옴의 SiC 파워 디바이스를 채용한 제품도 양산화했다.
 
관계자는 "이번에 개설한 공동 실험실에는 온보드 차저(On Board Charger, OBC) 및 DC/DC 컨버터를 비롯한 오토모티브 애플리케이션의 세트 평가가 가능한 설비 및 디바이스 평가가 가능한 장치 등, 중요한 기기를 도입했다"라며 "향후 협력 관계를 더욱 강화해 SiC를 중심으로 하는 혁신적인 파워 솔루션 개발을 가속할 것"이라고 전했다.

 전자신문인터넷 유은정 기자 (judy6956@etnews.com)