SK하이닉스가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 10나노 D램을 글로벌 파트너사에 납품하기 시작했다. 제품은 최대 용량 24기가비트(Gb) 'DDR5' D램이다.
DDR5는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 발표한 D램 규격이다. 기존 범용으로 쓰이는 10나노 2세대(1y) DDR5 제품 대비 데이터 전송 속도, 전력 효율성을 대폭 개선했다. PC와 서버용 등 다양한 분야에 쓰인다.
SK하이닉스는 24Gb D램에 극자외선(EUV) 노광 공정을 적용했다. EUV는 반도체 회로를 세밀하게 구현할 수 있는 기술이다. SK하이닉스는 제품에 10나노 4세대 기술을 적용해 이전 10나노 2세대 공정 대비 생산성이 향상됐다. 소비 전력은 25% 개선해 D램 시장에서 미세 공정 경쟁력을 바탕으로 우위를 공고히 할 계획이다.
SK하이닉스는 공정 경쟁력을 기반으로 제품 성능을 강화한다는 전략이다. 현재 8Gb·16Gb 용량이 주로 통용되고 있으나 이번 출하로 24Gb D램을 본격 공급할 수 있게 됐다.
SK하이닉스는 칩을 모듈 형태로 고객사에 제공한다. 제품은 내년 데이터센터에 탑재될 예정이다. 인공지능(AI), 머신러닝과 같은 데이터 처리와 메타버스 구현 등 용도로 고성능 서버에 활용하게 된다.
캐롤린 듀란 인텔 메모리 기술담당 부사장은 “인텔은 SK하이닉스는 제품 협력을 통해 고객에게 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며 “24Gb 제품은 D램 칩 최대 용량으로 데이터센터 운영비용 효율성을 높여주는 강점을 갖고 있다”고 말했다.
노종원 SK하이닉스 사업총괄 사장은 “24Gb DDR5 출시에 맞춰 클라우드 서비스를 하는 다수 고객과 긴밀한 협업을 진행하고 있다”면서 ”앞으로 진화된 기술과 ESG 강점을 가진 제품 개발로 DDR5 시장 리더십을 키워가겠다”고 전했다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
