새해는 차세대 반도체 공정 전쟁이 시작된다. 삼성전자는 상반기 3나노 공정으로 반도체를 양산한다. 3나노 공정으로 반도체를 만드는 건 삼성전자가 세계 최초다. 삼성전자는 3나노 공정에 더불어 차세대 트랜지스터 구조인 '게이트올어라운드(GAA)'도 적용한다. GAA는 10여년간 트랜지스터 구조 대세로 자리 잡은 핀펫 구조 대비 전류 제어 효율성이 크게 개선된다. 반도체 공정이 미세화하면서 발생하는 누설 전류를 막는데 기여할 것으로 보인다. 삼성전자 3나노 GAA 공정은 핀펫 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상하고 전력 소모는 50%, 반도체 면적은 35% 감소하는 것으로 알려졌다.
TSMC는 하반기 3나노 공정 양산을 시작할 것으로 보인다. 삼성전자보다 몇 달 늦은 일정이다. TSMC는 3나노 공정까지는 핀펫 구조를 유지한다.
삼성전자와 TSMC가 3나노 공정을 본격화하면서 반도체 시장 패러다임이 전환될 것으로 보인다. 글로벌 팹리스들이 3나노 공정을 활용, 보다 개선된 시스템 반도체 개발에 나설 예정이다. 관건은 고객사 유치다. 현재 파운드리 시장은 TSMC가 절반의 점유율을 확보하고 있다. 삼성전자가 선제적으로 3나노 GAA 공정을 제공, 다수의 팹리스 고객사를 확보한다면 TSMC 격차를 좁힐 것으로 기대된다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
