DB하이텍이 실리콘 웨이퍼 위에 질화갈륨(GaN) 소재 박막을 만드는 공정으로 반도체 칩을 생산한다. 이 기술로 통신 기기, 전기차 충전기, 태양광 변환기 등 급성장하는 시장에 대응한다.
DB하이텍은 새로운 반도체 웨이퍼 증착 기술(Gan-On-Si) 기반 8인치 반도체 생산에 나선다. '질화갈륨-온-실리콘(GaN-On-Si)' 기술로 실리콘 웨이퍼 위에 GaN 소재 박막을 증착하는 기술이다. GaN은 차세대 반도체 소재로 통신 기기, 전기차 급속 충전기, 태양광 변환기 등에서 전력 효율을 개선하는 소재다.
DB하이텍은 8인치 파운드리 전문 업체다. 회사가 GaN-On-Si 증착 기술을 파운드리 공정에 도입도 8인치 반도체 시장에 대응하기 위한 것이다.
GaN-On-Si 적용할 때 실리콘 웨이퍼 위 GaN 증착에 유리해 웨이퍼 가공이 수월하고 반도체 제조 경쟁력을 올려 수익성을 강화할 수 있을 것으로 보인다.
GaN-On-Si은 대만 TSMC가 파운드리 업계에서 6인치 파운드리에 처음 적용한 기술이다. TSMC는 ST마이크로와 협력, 2020년 6인치 반도체 생산 기술을 확보하고 차세대 반도체를 새해 최종 상용화한다.
대만 TSMC, 뱅가드 등도 대만 파운드리에 GaN-On-Si 기술을 적용할 것으로 전망된다.
DB하이텍은 올해 충북 공장을 활용, 8인치 시장에 대응할 전망이다. 충북 상우 팹을 최대한 활용하거나 추가 투자를 통해 전기차 전기 장치 등 8인치 반도체 수요에 대응할 계획이다.
DB하이텍 관계자는 “차세대 소재 기반 반도체는 유망 시장으로 공급망(SCM)이 갖추기까지 고객 수요에 대응해 나갈 것”이라고 말했다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
