로옴 주식회사의 제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD)가 일본을 대표하는 전자부품, 배터리, 전원 메이커인 무라타 제작소 그룹의 Murata Power Solutions에 채용되었다. 고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD 'SCS308AH'는 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛 'D1U 시리즈'에 탑재되어, 애플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여한다.
최근 AI(인공지능) 및 A (증강현실) 등 IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 특히 통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 과제로 중요시되어, 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있다.
Murata Power Solutions의 Senior Electrical Engineer이자 project leader인 Longcheng Tan 박사는 "SiC 파워 디바이스를 탑재함으로써, 한층 더 고효율의 전력 밀도가 높은 전원을 개발할 수 있다"라며 "SiC 파워 디바이스는 스위칭 주파수를 높일 수 있어, 수동부품 및 히트싱크의 체적을 줄일 수 있다"고 설명했다. 이어 "무라타 제작소 그룹에는 SiC 디바이스의 벤더 및 제품을 평가하기 위한 전문 부서도 있는데, 당사가 로옴을 선택한 이유는 고신뢰성 제품과 더불어 신속한 서포트 체제로 프로토타이핑 단계부터 샘플을 입수할 수 있었기 때문"이라며 "개발중인 3상 인버터에도 로옴의 SiC MOSFET를 탑재하여, 그 성능에도 만족하고 있기 때문"이라고 말했다.
ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC의 Jay Barrus 사장은 "전원 시스템을 비롯한 산업기기 분야에서 업계를 견인하는 Murata Power Solutions를 서포트할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다"라며 "로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서, 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있다"고 말했다. 이어"Murata Power Solutions와 함께 산업 및 데이터 인프라용 SiC 기술을 최대한으로 발휘시킴으로써, 전원 시스템의 에너지 효율을 한층 더 향상시켜 나가고자 한다"고 전했다.
전자신문인터넷 유은정 기자 (judy6956@etnews.com)