매그나칩 반도체 유한회사(대표이사 김영준)는 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 스마트폰 배터리 보호 회로용 MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.
슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 소스와 드레인 사이의 채널 길이를 획기적으로 줄여 온 저항(MOSFET이 스위치 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)과 전력 손실을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술을 말한다. 매그나칩은 이번에 공개된 MDWC12D028ERH(12V MOSFET)과 MDWC24D031ERH(24V MOSFET)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 기술을 도입했다.
슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번 신제품 크기가 이전 세대 제품 대비 20%가량 작아지고, 온 저항은 MDWC12D028ERH의 경우 40%, MDWC24D031ERH은 24% 감소했다. 이렇게 제품 특성이 개선되면서 배터리 충·방전 시 전력 손실이 줄어들고 고속 충전 모드에서도 낮은 온도가 유지될 수 있다.
매그나칩은 2023년 하반기 슈퍼 쇼트 채널 기술을 기반으로 하여 스마트 워치, 이어폰 등과 같은 웨어러블 기기의 소형 배터리에 적용되는 콤팩트하고 효율성 높은 MXT MOSFET 제품을 출시할 계획이다.
김영준 매그나칩 대표 이사는 "새롭게 개발된 슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번에 출시된 MXT MOSFET의 제품 성능이 한 단계 진화했다"라며 "앞으로도 끊임없는 기술 혁신을 통해 모바일 기기 시장의 다양하고 변화하는 요구 사항을 충족하는 프리미엄 전력 반도체 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.
전자신문인터넷 서희원 기자 (shw@etnews.com)
