SK하이닉스가 10나노급 5세대(1b) D램을 개발했다. 현존하는 기술 중 가장 미세 공정이 적용된 것이다.
SK하이닉스는 해당 기술이 적용된 서버용 DDR5 D램을 인텔과 검증하고 있다면서 30일 이 같이 밝혔다. 인텔 제온 스케일러블 플랫폼과 정상 작동하는 지 테스트하는 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’을 받고 있다.
메모리 업계에서 인텔과 서버용 5세대 D램을 검증하는 건 SK하이닉스가 처음이다. 중앙처리장치(CPU) 등 주요 하드웨어와의 호환성 뿐만 아니라 소프트웨어가 설치된 컴퓨팅 시스템과의 작동을 확인한다. 인텔은 전 세계 서버 시장에서 90% 이상을 점유해 D램 판매를 위해서는 인텔과의 호환성 검증이 중요하다.
신형 D램은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)다. SK하이닉스는 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 동작속도를 구현했다고 설명했다. 동작속도가 4.8Gbps였던 DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다.
SK하이닉스는 신형 D램에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용, 전 세대 대비 전력 소모도 20% 이상 줄였다고 설명했다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용, 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 기술이다. 속도를 빠르게 하면서 소모 전력은 줄인다.
SK하이닉스는 5세대 D램 기술 개발로 글로벌 고객에 높은 성능과 우수한 전성비(일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량)를 갖춘 제품을 공급할 것이라고 밝혔다. 인텔과 검증 절차를 마치면 양산 준비를 완료할 계획이다.
김종환 SK하이닉스 D램개발담당 부사장은 “1월 10나노급 4세대 DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증 받은 데 이어 5세대 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다”며 “내년 상반기에는 최선단 5세대 공정을 LPDDR5T, HBM3E(HBM3 Extended)로 확대 적용할 계획”이라고 말했다.
HBM3E는 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품이다. SK하이닉스는 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고 내년부터 양산할 예정이다.
디미트리오스 지아카스 인텔 부사장은 “호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업 중이며 SK하이닉스 DDR5는 인텔 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 4세대 DDR5를 인텔 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있게 추가 인증 절차를 병행하고 있다고 전했다.
박종진 기자 truth@etnews.com