“카본 낮춰 수율 향상” 이큐테크플러스, SiC 반도체용 산화막 증착 장비 상용화

수원 권선구 이큐테크플러스 사무실에서 김용원 이큐테크플러스 대표가 사진촬영을 하고 있다. 오른쪽 장비 모형이 이큐테크플러스 SiC 전력반도체용 산화막 증착 장비다.
수원 권선구 이큐테크플러스 사무실에서 김용원 이큐테크플러스 대표가 사진촬영을 하고 있다. 오른쪽 장비 모형이 이큐테크플러스 SiC 전력반도체용 산화막 증착 장비다.

이큐테크플러스가 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체용 차세대 산화막 증착 장비를 양산한다. SiC 전력반도체는 내구성이 뛰어나 전기차 등 차량용으로 각광 받고 있다.

이큐테크플러스는 산화막 증착 시 화학 반응을 확대할 수 있는 고밀도 라디칼(화학적으로 하나 이상 홀전자를 가진 원자나 분자)을 활용, 기존 고온 열산화 방식을 채택한 장비보다 SiC 웨이퍼 계면 카본 함유량을 약 50% 줄일 수 있는 장비를 개발했다고 밝혔다.

열산화 방식 장비의 경우 산화막 증착 시 카본이 고체형태로 계면에 남게 되지만 이큐테크플러스가 개발한 장비는 카본을 일산화탄소나 이산화탄소 등 가스 형태로 배출, 카본 함유량을 줄인다. 카본에 따른 계면 결함을 최소화해 저항을 낮추고 전류 속도는 높일 수 있는 것이 장점이다. 쉽게 말해 반도체 전력 효율성을 극대화할 수 있다.

SiC 반도체는 실리콘(Si) 대비 약 10배 전압을 견딜 수 있는 강한 내구성으로 고온에서도 반도체 성질이 유지된다. 전기차, 재생에너지 분야에서 각광 받는 이유다. 단 SiC 반도체는 Si 대비 상대적으로 높은 계면 결함율이 약점이었다. 이큐테크플러스 장비는 카본 함유량을 낮춰 수율을 높일 수 있도록 돕는다. 500~750도의 상대적인 저온에서 산화막 증착이 가능해 전력 사용량도 절감할 수 있다는 게 강점이다. 기존 장비는 통상 1200~1300도 고온에서 증착을 하고 있다.

김용원 이큐테크플러스 대표는 “최근 국내 전력반도체 기업과 MOSCAP(Metal-Oxide-Semiconductor 구조 캐패시터) 검사 측정·이력 효과 평가에서 계면 결함 감소, 박막 특성 개선 등 우수한 성능을 입증했다”며 “9월 중 국제반도체장비재료협회(SEMI) 품질 인증을 받고 본격적으로 장비 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다.

이큐테크플러스는 MOSCAP 평가에서 나아가 국내외 주요 전력반도체 기업과 산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터(MOSFET) 관련 성능 검증도 진행하고 있다고 전했다. 평가는 내년 상반기 종료될 예정이다. MOSFET 관련 기술력 입증되면 단시간에 장비 판매고를 확대할 수 있을 것으로 보고 있다.

현재 미국, 대만, 유럽, 중국, 일본 등 글로벌 전력반도체 기업과 기술 테스트를 진행 중이거나 예정된 상황으로 이르면 4분기 수출 성과도 기대된다.

이큐테크플러스는 SiC 차세대 산화막 증착 장비 사업을 중심으로 성장을 도모할 계획이다. 본격적인 차세대 산화막 증착 장비 생산을 위해 현재 경기도 안성 공장 규모를 두 배 이상 확대할 예정이다.

김 대표는 “지난해 반도체 증착 테스트용 300mm 웨이퍼 공급과 Si 반도체용 산화막 증착 사업만으로 매출 56억4000원을 기록했다”며 “신규 장비 공급으로 올해 연매출 100억원을 달성하고 향후 글로벌 반도체 기업 대상 장비 수출을 확대, 2028년 연매출 3000억원 돌파가 목표”라고 말했다.

이큐테크플러스 전력반도체용 차세대 산화막 증착 장비 모형.
이큐테크플러스 전력반도체용 차세대 산화막 증착 장비 모형.

수원(경기)=

박종진 기자 truth@etnews.com