매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 '매그나칩') (NYSE:MX)가 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 배터리 보호 회로용 'MXT LV MOSFET'(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET) 4종을 발표하면서 모바일 기기 배터리 보호 회로용 7세대 MXT LV MOSFET 라인업 확대에 나섰다.
슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 획기적으로 줄여 온저항(Ron: MOSFET이 ON 동작할 때의 저항)을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술로, 이 기술을 통해 이번에 공개되는 MOSFET 4종의 온저항이 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮아졌다. 그 결과, 배터리가 충전되거나 방전될 때 전력 소모가 낮아져 애플리케이션의 배터리 성능이 개선된다.
또한, 매그나칩은 애플리케이션의 스펙과 배터리 용량에 근거한 맞춤형 설계 서비스를 제공하기 때문에 MOSFET 크기도 제품별로 이전 세대 대비 5~20% 정도 작아질 수 있다.
매그나칩의 MXT LV MOSFET 시리즈는 이러한 기술적 특성, 유연한 설계, 그리고 콤팩트한 크기로 프리미엄 폴더블폰은 물론 무선 이어폰 등 다양한 모바일 기기의 요구사항을 충족한다.
김영준 매그나칩 대표 이사는 “매그나칩은 올해 배터리 보호회로용 MXT LV MOSFET 제품 5종을 출시했다”라며, “앞으로도 다양한 모바일 기기에 뛰어난 전력 효율성과 성능을 제공하는 프리미엄 MOSFET 제품을 계속해서 연구 개발하여 시장 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.
전자신문인터넷 서희원 기자 shw@etnews.com
