매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 '매그나칩') (NYSE:MX)는 미세 공정 기술 기반으로 온저항을 획기적으로 낮춘 6세대 600V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 출시했다고 밝혔다.
이번 6세대 600V SJ MOSFET(MMD60R175S6ZRH)에는 180nm의 미세 공정 기술과 매그나칩의 최신 소자 설계 기술이 도입되었다. 이 기술을 통해 기존 세대 대비 SJ MOSFET 셀 간격을 50% 축소하고 온저항(RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)은 42% 낮추었다. 그래서, 동일한 DPAK(Decawatt Package)에 175mΩ의 낮은 온저항과 높은 전력 밀도를 구현했다.
또한, 기존 세대 제품에 비해 게이트 총 전하량(Total Gate Charge)이 29%가량 감소하여 스위칭 손실이 줄고 전력 효율은 개선되었다. 효율적인 에너지 사용으로 애플리케이션이 유연하게 설계될 수 있다는 점도 이번 제품 특징 중 하나이다.
그리고, 이번 신제품에는 애플리케이션에서 MOSFET이 높은 외부 서지나 정전기 방전(ESD: Electrostatic discharge)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 게이트와 소스 사이에 제너 다이오드를 내장하여 견고성과 신뢰성을 크게 높였다.
이번 제품은 고효율, 설계 용이성, 안정성 등 뛰어난 제품 특성으로 서버, OLED TV, 노트북 충전기 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 서버 출하량은 2023년에서 2027년까지 매년 8% 성장하고, 동기간 OLED TV 출하량은 매년 11% 증가하여 2027년에는 930만 대에 달할 것으로 예측된다.
매그나칩 김영준 부회장은 “이번 제품 출시에 이어 2024년에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 제품 등 6세대 SJ MOSFET 신제품을 추가로 발표할 계획이다”라며, “매그나칩은 고객 요구에 기반한 끊임없는 기술 혁신으로 업계 경쟁력을 확고히 하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.
전자신문인터넷 서희원 기자 shw@etnews.com
