SK하이닉스, 소부장 R&D '기반기술센터'로 일원화…진성곤 담당 총괄

SK하이닉스 이천공장 전경. SK하이닉스 제공
SK하이닉스 이천공장 전경. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 곽노정 최고경영자(CEO·사장) 직속으로 신설한 기반기술센터에 소재·부품·장비(소부장) 연구개발(R&D) 조직을 통합한 것으로 확인됐다. 소부장 경쟁력 강화를 위한 조치로, 초대 기반기술센터장으로 진성곤 담당이 선임됐다.

12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 기반기술센터 산하에 소부장 R&D와 계측(DMI), 자동화, 마스크(MASK) 등을 배치했다. 기존에 D램·낸드플래시 등 제품별 또는 사업 부문별로 나뉘어 있던 R&D 기능들을 한 데 모은 것이 특징이다. 유기적 협력을 통한 기술 경쟁력을 강화한다는 취지로, 중장기 반도체 기술을 개발하는 미래기술연구소와 식각·증착 등 제조공정에 직접 관련된 부서를 제외한 전체 기술 조직을 망라했다.

기반기술센터를 총괄하는 진성곤 담당은 2019년 SK하이닉스 임원이 된 인사다. 직전까지 박막 증착(ThinFilm) 기술담당으로 SK하이닉스 절연막 증착기술과 금속·금속질화막 형성기술 개발을 주도한 것으로 전해졌다.

진 담당을 센터장으로, 소재개발 담당임원은 길덕신 전 미래기술연구원 소재개발 담당이 선임됐다. 장비개발 담당임원은 제조·기술부문 장비개발팀장이 승진 발령 받았다. 소재개발 부서는 반도체 공정용 소재 솔루션 확보와 소재 수급·품질 관리 등 소재 개발 전반, 장비개발 부서는 R&D 라인 장비 유지·보수와 기존 장비 개조·개선 등 제품 개발에 필요한 각 단위 공정 장비 개발을 맡는다.

소부장 강화는 올 연말 반도체 업계 인사의 두드러진 특징이다. 삼성전자 역시 최근 조직개편을 통해 남석우 삼성전자 사장이 총괄하는 제조·기술 담당조직 산하에 소재부품(Common Tech)센터를 신설했다. 삼성은 이 센터에 소부장·분석기술·계측기술 연구부서를 통합했다.

반도체 업계가 소부장 조직을 강화하는 건 반도체에 없어서는 안될 필수재인 데다, 성능에 직결되기 때문으로 풀이된다. 일례로 2나노(㎚), 1나노 등 전에 없던 미세회로 구현을 위해서는 노광기뿐만 아니라 포토마스크나 포토레지스트가 완전히 달라져야 한다. 또 발열에 변형이 없는 소재들을 써야 고대역폭메모리(HBM)와 같은 인공지능(AI) 반도체를 계속 업그레이드 할 수 있다.

SK하이닉스 관계자는 “회사 내 미래 선행기술과 기존 양산기술 조직 간 원활한 협업을 위해 기반기술센터를 신설한 것”이라며 “구체적인 조직 구성과 역할은 대외비여서 확인해줄 수 없다”고 말했다.

SK하이닉스 신기술 R&D와 중장기 기술 로드맵 수립을 총괄하는 미래기술연구원장은 차선용 부사장이 유임됐다. 차 부사장은 10나노급 D램 테크 플랫폼·극자외선(EUV) 노광 공정 도입을 주도했으며 올해 '과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장을 수상했다.

미래기술연구원은 확산(DIFF)공정·증착공정·에칭(ETCH)공정과 낸드공정·D램공정, R&D 투자운영 등 임원급 담당조직으로 구성했다.

박종진 기자 truth@etnews.com