차세대메모리의 유력 후보로 부상하고 있는 저항변화메모리(Re램·Resistance Random Access Memory)의 핵심 기술이 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다.

　산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단 국내 연구팀(팀장 황현상 광주 과학기술원 교수)은 Re램 소자의 핵심 원천기술을 개발, 7일(현지시각) 미국 워싱턴 DC 힐튼호텔에서 열린 국제전자소자회의(IDEM)에서 발표했다.

　Re램은 현 주력 비휘발성메모리인 플래시메모리의 속도 및 대용량화의 한계를 모두 극복하는 ‘포스트 플....