소니가 차세대 메모리 가운데 하나인 ‘M램’ 실용화를 크게 앞당기는 기술을 개발했다.

　소니는 최근 M램 성능의 중요한 지표가 되는 집적 전류치를 기존보다 10분의 1 이하로 낮춘 기술을 개발해 M램 실용화의 문을 활짝 열었다고 니혼게이자이신문 등 일본 언론이 일제히 보도했다.

　지금까지 M램은 정보 입력에 필요한 ‘전류치 절감’이 실용화의 최대 과제였는데 이번 소니의 M램은 100ns(나노초)당 400∼500마이크로암페어(㎂)로 집적 전류치를 크게 낮췄다.

　최근 소니는....