삼성전자가 낸드플래시에 이어 D램에서도 세계 최초로 50나노 벽을 깨며 50나노 D램 시대를 열었다. 삼성전자는 D램 신공정에서 지난 2000년 150나노기술부터 올해 50나노기술까지 7세대 연속 세계 최초를 실현했다.

　삼성전자는 세계 최초로 6F스퀘어(6F²) D램 셀 기술을 적용한 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공, 2008년 초에 본격적으로 양산한다고 밝혔다. 본지 9월 13일자 참조

　D램 50나노 공정은 현재 양산에 적용되고 있는 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 삼성전자는 이....