반도체 메모리 용량이 매년 2배씩 증가한다는 ‘황의 법칙’이 향후 10년간 지속될 수 있음을 증명하는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

　최양규 한국과학기술원 전자전산학과 교수팀과 나노종합팹센터는 실리콘 나노선(silicon nanowire)과 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 기술을 결합해 세계에서 가장 작은 8나노미터(㎚)급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는 데 성공했다고 13일 밝혔다.

　이번에 개발된 8㎚급 메노리 소자는 비휘발성 플래시 메모리의 10....