하이닉스반도체가 D램 전용 300㎜ 팹인 이천 M10라인에서 낸드플래시도 생산한다. 하이닉스는 연말까지 M10 팹 생산능력의 40%까지 낸드플래시로 전환, D램과 낸드플래시 생산물량을 조절하는 ‘버퍼팹’으로 활용한다는 계획이다. 본지 4월 16일자 26면 참조

　하이닉스는 또 26일 충북 청주시 청주공장에서 낸드플래시 생산을 주력으로 하는 300㎜ 팹(M11) 공장 기공식도 가졌다.

　권오철 하이닉스반도체 전무는 26일 기업설명회(IR)에서 “하이닉스는 D램 캐파를 시장 여건에 따라....