D램 미세공정 도입을 선도하고 있는 삼성전자·하이닉스반도체·엘피다반도체가 최첨단 공정에서 원가와의 경쟁에 돌입했다. 특히 하이닉스는 업계 최초로 전도율이 높은 텅스텐(W)을 반도체게이트 소재로 채택하는 등 새로운 도전도 불사하고 있다.

　17일 관련업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 독자 개발한 첨단 D램 설계 및 공정 기술을 60나노대 최첨단 제품 생산에 도입, 웨이퍼당 생산칩 수(넷다이)를 크게 늘리는 방법으로 원가 낮추기에 총력을 쏟고 있다.

　또 엘피....