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    삼성전자 낸드플래시와 인텔 CPU의 미세공정벽 양산 추이

    카테고리 : 정보통신 지면 : 3면 개제일자 : 2007.10.24 관련기사 : 삼성, 최초로 30나노대 진입

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  • 삼성, 최초로 30나노대 진입

     삼성전자는 한계로 지적돼온 40나노 벽을 뚫고 30나노 64Gb 낸드플래시 개발에 성공, 메모리의 집적도가 매년 두 배씩 성장한다는 메모리신성장론, 일명 황의 법칙을 다시 한번 입증했다. 삼성전자는 1999년 256Mb 낸드플래시 개발을 시작으로 지난 8년간 매년 두 배의 메모리 집적도를 실현해왔다.

     64Gb 용량은 손톱만한 크기에 메모리 저장소가 세계 인구인 65억명보다 10배나 많이 집적돼 있다. 30나노 초미세 공정과 함께 하나의 셀에 두 개 이상의 트랜지터를 심는 저장멀티레벨셀....

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