삼성전자·하이닉스반도체·도시바 등 낸드플래시 메모리 3인방이 50나노급 공정에 이어 40나노급 공정서 정면 승부를 펼친다.

6일 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스반도체·도시바 등 기업들은 D램 대비 비교적 가격 하락 폭이 큰 낸드플래시 메모리 시장에서 원가경쟁력을 높이고자 40나노급 제품을 확대하는 데 열중했다. 낸드플래시 메모리의 가격이 제조 원가 이하로 떨어지는 시황에서 수익을 개선하고, 선두 자리를 유지하려면 40∼50나노급 미세 공정 제품을 더욱 많이 ....