하이닉스가 D램 미세공정 전환 속도를 높이고 있다. 지난 연말까지 38나노 전환 비중을 목표치인 40%를 초과 달성한 데 이어 올 상반기까지 절반까지 높여 삼성전자와의 격차를 크게 줄일 계획이다.

　12일 하이닉스 및 관련업계에 따르면 지난해 2분기부터 양산에 들어간 38나노 생산 비중이 지난 연말 40%를 초과해 최근에는 40%대 중반까지 도달한 것으로 확인됐다. 하이닉스는 지난해 2분기까지 공정 전환에 어려움을 겪으면서 전체 D램 생산에서 38나노 제품 생산비중이 한자리....