삼성전자와 하이닉스반도체가 올해 말 차세대 D램반도체 `DDR4` 양산에 돌입, 세계 메모리 시장을 선도한다.

4일 삼성전자, 하이닉스 등은 최근 미국 샌프란시스코에서 열린 `국제고체회로학술대회(ISSCC) 2012`에서 30나노급 DDR4 시제품을 선보였다고 밝혔다.

양사는 이번에 선보인 시제품은 30나노급 미세공정을 통해 개발했지만 올해 말에는 20나노급 공정을 적용해 양산에 돌입할 계획이다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2....