값싼 벌크실리콘 기판으로도 이중게이트소자를 만들 수 있는 기술이 개발됐다.

　21세기 프런티어사업단인 테라급나노소자개발사업단의 과제를 수행 중인 경북대 이종호 교수팀은 삼성전자의 지원을 받아 집적도 및 성능 면에서 기존 소자에 비해 우수한 40㎚급 이중 게이트 CMOS소자를 값싼 벌크실리콘 웨이퍼상에 구현하는 데 성공했다고 25일 밝혔다.

　이에 따라 기존 CMOS소자에 비해 성능은 뛰어나면서 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼의 3분의 1 가격으로 이중게이트소자를 만들....