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`D램 나노시대` 열린다
삼성전자(대표 윤종용)가 플래시메모리에 이어 D램에서도 세계 최초로 90 나노 미세공정을 도입했다. 삼성전자는 이달부터 300㎜ 라인에서 90나노 공정을 적용해 D램을 양산한다고 지난 8일 밝혔다.
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플래시메모리와 시스템 LSI, CPU 분야의 경우 삼성은 물론 인텔과 대만 파운드리업체들이 90나노 공정을 도입했지만 D램에는 이번이 처음이다. 삼성이 90나노 공정으로 양산하는 제품은 512Mb DDR 400㎒와 DDR 333㎒다.
삼성전자는 △삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 ‘RCAT(R.... - 최신자료
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