일본 마쓰시타전자공업은 미국 신메트릭스사와 공동으로 시스템온칩에 응용 할 수 있는 0.9V작동 Y1강유전체불휘발성메모리기술을 개발했다.
일본 "전파신문"의 최근 보도에 따르면 양사가 개발한 강유전체불휘발성메모리기술은 신메트릭스사가 개발한 고쳐쓰기횟수 1조회이상의 강유전체재료 Y1 유전율5백 의 조성을 최적화해 지금까지 2.5V였던 작동전압을 0.9V로 저전 압화하면서 기억특성의 약화현상을 없앴다.
또한 표면전류원, 벌크전류원 및 표면전류원의 전류 신간의존성등을 고려해 시뮬레이션값과 실제측정값의 오차를 없애는 강유전체캐퍼시터의 물리모델을 개발해 강유전체특성을 정확하게 회로설계에 반영해서 저전압에서의 최적화 설계를 가능케 했다.
양사는 이 메모리기술의 개발성과를 지난 15일부터 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 국제고체회로회의(ISSCC95)에서 발표했다. <주문정 기자>