일본의 미쓰비시전기는 회로선폭 0.3미크론의 64MD램 양산라인을 메모리 반도체 생산기지인 사이조공장내에 설치한다고 "일본경제신문"이 최근 보도했다. 미쓰비시는 회로선폭 0.3미크론의 64MD램 생산을 위해 앞으로 1천억엔을 투자 97년 본격가동을 목표로 현재 16MD램을 양산하고 있는 사이조공장에 양산라인을 구축할 계획이다.
미쓰비시는 10월중 0.3미크론의 미세가공을 실현한 엔지니어링 샘플을 선보일 예정이며 본격양산이 이뤄지는 97년에는 8인치 웨이퍼 월1만매상당의 반도체를 생산하고 이후 시장 환경에 따라 생산규모를 배가시킬 계획이다.
이번에 신설하는 생산라인에는 엑시머레이저를 이용한 스테퍼를 설치、 기존의 회로선폭 0.35미크론 기술을 대체할 수 있는 0.3미크론의 미세가공기술을 채용할 예정이다.
미쓰비시는 64MD램의 양산에 앞서 내년초부터 기타이타미제작소에 있는 ULSI 개발연구소내에서 상용샘플을 생산、 수요업체에 공급할 계획이다.
<조시룡기자>