일본 도시바가 게이트길이 0.15미크론의 상보성금속산화막반도체(CMOS)에서 세계 최고속도를 실현했다고 "일간공업신문"이 22일 보도했다.
이에 따르면 도시바는 0.15미크론 수준에서는 최초로 싱글게이트구조를 채용 、 게이트당 지연시간을 0.1미크론 CMOS에도 뒤지지 않는 15.4피코초로 했다는 것이다.
이에 따라 0.15미크론의 양산단계에서도 종래의 리소그래피기술을 응용할 수있는 가능성이 높아졌고 또한 공정수의 간소화에 의해 고속 반도체를 낮은비용으로 생산할 수 있게 됐다.
지금까지 0.1미크론 수준의 CMOS에서는 게이트전극의 재료로 NMOS、 PMOS에 각각 N형、 P형의 폴리실리콘을 이용하는 듀얼게이트구조를 채용하는 것이일반적이었다. 그러나 이 방식은 공정이 복잡해 양산단계에서는 경비가 상승 하고 게이트전극으로 부터 산화막을 통해 기판에 불순물이 빠져나오는 보론 확산이 일어나기 쉽다는 문제도 안고 있다.
이에 대해 도시바연구개발센터 ULSI연구소에서는 NMOS、 PMOS 양쪽에 N형의 폴리실리콘을 이용하는 싱글게이트구조를 채용、 1세대 전의 기술에서 0.1미 크론 반도체와 동등한 고속성능을 가능케 했다. 이 싱글게이트구조를 이용하면 보론확산 문제를 해결할 수 있는 것으로 알려지고 있다. <신기성 기자>