미국 인포메이션 스토리지 데이터(ISD)사가 메모리 반도체 칩의 저장능력을4배 향상시킬 수 있는 기술을 개발했다고 미 "월스트리트 저널"지가 최근보도했다. 새로 개발된 기술의 특징은 보통의 메모리 반도체가 온.오프를 나타내기 위해 2개의 전압(볼트) 레벨을 사용하는 것과 달리 온.오프의 다양한결합을 나타내는 16개의 서로 다른 전압 레벨을 사용한 것이다.
이에 따라 한개의 셀이 1비트를 저장할 수 있었던 기존 메모리와 달리 신기술을 적용한 메모리는 셀당 4비트를 저장하는 것이 가능해졌다.
새로 개발된 기술은 플래시와 EP(Erasable Programmable)롬 및 EEP(Electrically EP)롬 등의 제조에 적용될 수 있는데 지난해 경우 이들 제품의 판매액은 40억 달러에 달했다.
한편 새 기술은 기존 공장시설을 가지고도 차세대 반도체를 생산할 수 있는길을 연 것으로 반도체 제조단가 인하에 크게 기여할 것으로 평가받고 있다.
<오세관기자>