일본 후지쯔가 올해부터 98년까지 3년간에 걸쳐 반도체사업에 7천억엔을투자하여, 오는 98년 이 부문 생산액을 1조2천억엔 이상으로 끌어올릴 계획이라고 "일본경제신문"이 최근 보도했다.
이에 따르면 후지쯔는 올해부터 3년간의 반도체부문 설비투자비를 7천억엔으로 책정하고 올해 2천억엔, 내년과 98년에 각각 2천5백억엔씩을 투자할 계획이다.
후지쯔는 연간 투자규모로는 최고치였던 지난해 1천9백억엔을 크게 상회하는이번 투자를 통해, 반도체부문 생산액을 내년 1조엔, 98년에는 1조2천3백억엔으로 끌어올린다는 목표를 세워 놓고 있다.
투자대상은 미어드밴스트 마이크로 디바이시스(AMD)와의 합작 플래시메모리공장, 최근 착공을 반년정도 연기하기로 한 영국 더럼공장, 로직IC를 생산하는 후쿠시마현의 신설공장등이며, 이와 함께 후지쯔는 64MD램의 주력생산공장도 신설할 계획이다.
이번 투자로 후지쯔의 반도체부문 설비투자액대 생산액비율은 현재의 25%에서 27%로 높아지게 된다. 후지쯔는 "시장점유율 5%가 생존을 위한 하한선"으로 판단하고 이를 위한 투자를 아끼지 않을 것이라고 밝혔다. 그러나 후지쯔측은 메모리가격의 하락으로 "반도체부문은 당분간 이익률 상승이 어려울것"이라며 "시장상황에 따라 생산을 조절할 계획"이라고 말했다.
<심규호기자>