미국의 인텔과 일본 샤프社가 휴대전화 등에 널리 사용되는 초소형 플래시메모리를 공동 개발했다고 「日本經濟新聞」이 최근 보도했다.
이들 두 회사가 이번에 개발한 것은 회로선폭 0.4미크론급 플래시메모리로, 이들 회사는 오는 9월부터 8MB제품을 양산할 계획이다.
이 플래시메모리의 칩크기는 35평방mm로 현재 개발된 제품 가운데 가장 작다. 기존의 선폭 0.6미크론 제품과 비교 44%이상 작아, 원료에 대한 제품비율이 같을 경우 1장의 웨이퍼에서 0.6미크론 제품 약 2배의 칩을 생산할 수있어 제조원가를 대폭 절감할 수 있게 된다.
이들 회사는 오는 5월부터 이 제품의 샘플을 출하할 계획인데, 오는 9월부터 美뉴멕시코州 인텔공장과 日히로시마縣 샤프공장에서 본격적인 양산에 들어갈 예정이다.
두 회사는 우선 8MB급 제품에 주력하고 앞으로 4MB제품과 16MB제품으로 생산을 확대해 나갈 계획이다.
생산규모는 샤프가 8MB급 제품을 월 2백만개로 잡고 있다고 밝혔으나,인텔측은 아직 언급하지 않고 있다.
가격은 샤프가 샘플가격으로 개당 4천엔을 제시했으며, 인텔은 1만개 이상양산시의 가격을 2천엔으로 설정하고 있다.
이 메모리는 휴대전화등의 소형화, 저소비전력화에 크게 기여할 것으로 보여,앞으로 폭 넓은 시장을 확보할 것으로 기대된다.
플래시메모리는 D램과 같은 기존 메모리와 달리 전원을 끊어도 기억내용이없어지지 않을 뿐 아니라 데이터 고쳐쓰기도 가능하다는 특징을 지니고 있다.
인텔과 샤프는 지난 92년 1월부터 제휴관계를 맺고 플래시메모리의 생산,개발, 판매를 공동으로 추진해 왔다. 그러나 양사가 대등한 협력관계를 통해제품개발에 성공한 것은 이번이 처음으로, 지금까지 샤프는 인텔로부터 일방적인 기술지원을 받아 왔다.
<심규호 기자>