일본 후지쯔가 차세대 디스플레이인 SXGA TFT(박막트랜지스터)방식LCD(액정표시장치)試作品을 개발했다.
「日本經濟新聞」은 9일 후지쯔가 저온프로세스에 의한 새로운 폴리실리콘TFT구조를 개발했으며 이 기술을 이용한 1천2백80X1천24素의 3.2인치형고선명 SXGA TFT방식 LCD 試作品을 개발했다고 보도했다.
저온 폴리실리콘기술에 의한 SXGA LCD는 후지쯔가 세계 최초로 개발한 것으로 이 회사는 고휘도,저소비전력 프로젝터 및 직시형 휴대정보단말기용으로 실용화할 계획이다.
저온 폴리실리콘 TFT기술은 5백도C 전후의 저온 프로세스로 폴리실리콘 TFT를 제작,PC등에 채용되고 있는 아몰퍼스실리콘 TFT 기술에 비해 반응이 훨씬 향상된 TFT를 유리기판상에 형성할 수 있으며 드라이브IC등 주변회로를 같은 유리기판위에 일체화 할수 있는 것이 특징이다. 밝기는 종래의 폴리실리콘 TFT판넬의 2배로 화소 피치 50미크론,開口率 60%를실현했다.
특히 차광막을 TFT상에 형성하는 새로운 구조도 갖추는 한편 독자 채널도프법으로 한계치 제어 기술을 개발해 TFT의 안정성을 향상 시켰으며양산성이 우수한 프로세서도 개발했다.
<박주용 기자>