일본 미쓰비시전기 ULSI개발연구소가 시스템LSI(대규모 집적회로)의 노이즈 영향을 방지하는 새로운 기술을 개발했다.
14일 「日經産業新聞」은 미쓰비시ULSI연구소가 기판에 방호층을 만들어 노이즈를 차단하고 기억셀의 배선에 약한 전압을 걸어 누전등 노이즈 요인을 감지할수 있게 하는 기술을 개발했다고 보도했다.
이 신문에 따르면 이 기술은 대용량의 LSI메모리에도 적용 할수 있으며이를 이용할 경우 노이즈 대책이 필요한 재입력(리프레시)동작을 절반으로줄일수 있다고 밝혔다.
미쓰비시가 새롭게 채택한 방호층은 기판에 회로를 형성할때 이온을 주입해 만드는 것으로 이 위에 논리연산부를 설치,논리연산부 밑을 경유해 접근하는 노이즈를 방지하는 것이다. 여기에 또 메모리부분의 셀 배선에 약한 전압을 흐르게 해서도 노이즈의 영향을 억제할수 있게 했다.
이에 따라 데이터 유지특성이 67%정도 향상돼 별다른 조치를 강구하지 않은 경우보다 입력(리프레시) 간격을 두배로 늘리는 것이 가능하게 됐다.
미쓰비시는 이 기술을 광범위한 시스템 LSI에 응용하는 방안을 검토하고 있다. 특히 이 기술을 응용하면 2백56MD램급 이상의 대용량에서 리프레시 동작의 회수를 줄일수 있을 것으로 보고 있다.
시스템LSI는 정보를 기록하는 메모리 부분과 논리연산부등 복수의 LSI를 원칩화한 LSI이다. 이 LSI는 데이터 전송속도의 향상,부품수의축소,低소비전력등의 이점을 얻을수 있어 각사가 개발에 나서고 있는 전략칩이다.
그러나 논리연산부로부터 발생하는 노이즈가 기판및 배선을 통해 메모리부에 영향을 미쳐 메모리셀에 축적된 전하를 감소시키는 것이 문제가 되고 있다.메모리에 축적된 전하의 감소는 축적된 데이터의 손실과 직결되는 것이다.
이 때문에 노이즈 대책으로 전하를 보충해 정보손실을 막는 재입력방법이고안됐으나 소비전력을 증가시키고 작동속도를 저하시킨다는 문제점을 안고있었다. 따라서 전하 손실을 효과적으로 방지,재입력 횟수를 줄이려는 노력이 각사에서 추진되고 있는데 이번에 마쓰시타가 개발한 기술은 이같은 면에서 획기적인 기술로 평가되고 있다.
<박주용 기자>