일본 히타치제작소가 1GD램 제조에 사용할 수 있는 測長走査전자현미경(SEM)의 실용화를 목전에 두고 있다.
일본 「日經産業新聞」의 최근 보도에 따르면 히타치는 대응폭이 1GD램급에 이르는 측장SEM 시제품을 올해안에 완성하여, 내년 4월부터 2백56MD램의연구개발 및 시제품용으로 출하할 예정이다.
히타치는 이 측장SEM이 1GD램의 실용화를 지원하는 제품이라는 점을 감안,12인치웨이퍼 대응 장비로 개발할 계획이다.
측장SEM은 전자빔(EB)을 이용해 웨이퍼상의 회로선폭을 측정하여, 노광공정과 에칭공정이 원래 사양대로 진행되는 지를 확인하는 장치이다.
현재 사용되고 있는 64M급 측장SEM으로 2백56M와 1G급 제품을 측정할 경우, 웨이퍼에 투사되는 EB양의 과다로 회로선폭이 두꺼워져 검출오차가 커지게 된다. 이때문에 1G급 까지 측정하기 위해서는 EB의 양을 줄이고 검출감도를 높일 필요가 있다.
히타치가 개발하는 1G급 측장SEM은 웨이퍼 표면회로에서 발생하는 2차전자를 깊은 홈부분의 신호로 새지않게 채취함으로서, 검출감도를 높혔다.
히타치는 지난 84년 이 측장SEM시장에 참여, 현재 70-80%의 시장점유율을차지하고 있다. 히타치는 지난해 6인치와 8인치용 장비를 중심으로 약 2백20대 출하했는데, 올해에는 약 3백60대 출하할 것으로 예상된다.
84년 히타치가 시장참여할 당시 이 장비는 반도체양산 1개라인 당 1대가사용됐으나, 반도체 집적도향상을 위한 미세화가 추진되면서 현재는 1개라인에 5-10대정도가 도입되고 있다.
<심규호 기자>