日 후지쯔, 새 반도체연구개발센터 가동시기 연기

일본 후지쯔가 현재 東京都 아키가와市에 건설 중인 반도체연구개발센터의 가동시기를 1년이상 연기한다. 이에 따라 후지쯔는 새 연구센터에서 개발할 예정이던 0.18미크론급 미세가공기술개발을 미에공장으로 위임하고, 이 센터에서는 0.15-0.13 미크론급 기술을 개발하게 된다.

「日本經濟新聞」의 최근 보도에 따르면 후지쯔는 차세대 LSI(대규모집적회로)용 미세가공기술 개발을 위해, 내년 9월 가동을 목표로 지난 3월부터 반도체연구개발센터(가칭 아키루노반도체개발센터)의 설립을 추진해 왔다. 시설은 당초 내년 6월 완공될 예정이었으나, 후지쯔는 이 센터의 가동시기를 1년이상 늦추기로 결정했다.

또 후지쯔는 당초 이 센터에서 내년 9월부터 회로선폭 0.18미크론 미세가공기술을 개발할 계획이었으나,가동시기의 연기로 이 센터에는 처음부터 12인치웨이퍼라인을 도입해 회로선폭 0.15-0.13미크론급 기술을 개발할 예정이다.

이에 따라 후지쯔는 0.18미크론기술의 개발을 반년정도 앞당겨, 기존 개발거점인 미에공장을 통해 내년 3월부터 본격 개발활동에 들어갈 계획이다. 이를 위해 현재 회로선폭 0.25미크론 기술을 개발 중인 미에공장에 올해부터 98년에 걸쳐 약 2백억엔을 추가출자, 기존 試驗製作라인을 0.18미크론용으로 전환할 예정이다.

이번 후지쯔의 새 연구센터 가동시기연기는 기존설비를 유용하게 활용하여 투자효율 향상을 도모하는 동시에, 차세대메모리 및 시스템LSI개발에 필요한 미세가공기술을 조기에 확립하기 위한 것으로 풀이된다.

<심규호 기자>