실리콘 웨이퍼분야 세계 최대업체인 일본의 신에츠반도체가 고품질 웨이퍼인 「에피택셜 웨이퍼」 증산에 나선다.
「日本經濟新聞」에 따르면 신에츠반도체는 올해부터 2년간 일본, 미국, 유럽 3개 지역의 생산거점에 총 1천억엔을 투자, 오는 2000년까지 자사의 에피택셜 웨이퍼 총 생산규모를 현재의 5배인 월 50만장(8인치 웨이퍼 환산)으로 끌어 올릴 계획이다.
신에츠반도체의 이번 증산은 D램분야 주도권이 16M에서 64M로 전환되면서 미일 반도체 업체들을 중심으로 에피택셜 웨이퍼에 대한 수요가 급증하고 있기 때문으로 풀이된다. 신에츠는 여타 업체에 앞서 3개지역 동시생산체제를 구축, 차세대 웨이퍼 시장을 리드해 나간다는 전략이다.
신에츠는 일본의 국내 주력거점인 군마현 기후공장과 미국 밴쿠버 생산자회사의 월 생산능력을 각각 현재의 3배인 20만장 이상으로 높이는 한편 오는 11월 본격 가동에 들어가는 영국 스코틀랜드공장에도 월 8만장 규모의 생산설비를 도입한다. 이를 통해 2000년 3월까지 월 50만장 생산체제를 정비할 계획이다.
신에츠는 당초 올해 설비투자비로 3백억엔 정도를 계획했으나 이번 투자 결정으로 이를 대폭 상향조정, 에피텍셜 웨이퍼 생산라인 증강에만 97∼98년 2년간 각각 5백억엔씩 투자키로 방침을 변경했다.
에피택셜 웨이퍼는 웨이퍼표면에 매우 얇은 실리콘단결정막 가공을 실시한 새로운 형태의 웨이퍼로 기존 웨이퍼보다 표면의 정도가 높아 반도체 생산원가 절감과 고품질 결정 형성에 매우 유리하다. 이 웨이퍼를 사용하면 반도체 수율이 평균 5∼7% 향상되는 것으로 알려지고 있는데, 이미 일본업체들과 미국업체들이 최첨단 64MD램 생산에 이 웨이퍼를 일부 사용하고 있다.
<심규호 기자>