일본 NEC가 게이트 길이 14나노미터의 세계 최소 MOS형 트랜지스터를 개발해 10테라비트급 메모리 개발에 새로운 가능성을 제시했다.
일본 「日刊工業新聞」에 따르면 NEC가 개발한 것은 전계변조천접합형(EJ) MOSFET라는 2중 게이트 구조의 소자로, NEC는 전자빔 노광기술과 독자의 초고해상도 레지스트 「칼릭스 어레이」를 조합한 노광기술을 활용해 14나노미터급 제품 개발에 성공했다.
NEC는 이 기술을 활용해 1백나노미터에서 10나노미터까지의 각종 MOS형 트랜지스터를 시험 제작했다. 시험 제작한 EJ-MOSFET의 특성을 평가한 결과 게이트 길이 14나노미터까지 미세화가 진행돼도 정상적인 트랜지스터 동작이 가능하며, 소스와 드레인간의 터널효과로 인한 리크(누설)전류도 게이트 길이가 10나노미터 이상이면 문제가 되지 않는다는 사실을 확인했다.
지금까지 개발된 MOS형 트랜지스터의 게이트 최소 길이는 40나노미터로 10나노미터 영역까지 평가된 것은 이번이 처음이다.
NEC의 이번 새 기술 개발과 평가로 10데라비트급 메모리까지는 현재의 MOS 동작 원리가 활용될 수 있다는 사실이 확인됐다.
<심규호 기자>