미국의 레이저장비업체인 슈왈츠 일렉트로 오프틱스社와 일본의 고압수은램프 전문업체인 우시오전기가 반도체 미세가공에 사용하는 노광장치용 광원의 하나인 고출력 원자외선 레이저를 공동 개발했다.
일본 「日經産業新聞」에 따르면 양사가 이번 개발한 원자외선 레이저는 2백56MB와 1GB급 메모리 생산에 적합한 단파장 레이저 광선을 얻을 수 있을 뿐 아니라 현재 미세가공의 주류를 이루고 있는 엑시머레이저에 비해 제조단가와 보수, 유지비용, 소비전력 등이 크게 낮다는 특징이 있다.
양사는 이 레이저를 오는 2000년까지 실용화하고 차세대 광원개발에 심혈을 기울이고 있는 반도체제조장비업체에 판매할 계획이다.
새로 개발된 고출력 원자외선 레이저는 의료기기 및 용접기에 사용되는 고출력 이트륨 알루미늄 가넷(YAG) 레이저 등 복수의 광원을 특수 결정에 통과시켜 단파장 광선을 얻어낸다.
이 레이저는 현재 실용 단계에 있는 불화크립톤(KrF)과 같은 0.248미크론급 파장 뿐 아니라 현재 개발이 추진되고 있는 불화아르곤(ArF) 엑시머레이저의 0.193미크론급 단파장도 생성할 수 있다. 또 2천5년 실용화될 전망인 파장 0.157미크론급의 개발도 가능한 것으로 알려지고 있다.
특히 새 레이저는 가스 교환 등의 보수, 유지비용이 발생하는 가스활용방식의 엑시머레이저와 달리 가스, 액체 등을 사용하지 않는 완전고체방식을 채용하고 있어, 유지비용을 약 3분의 1로 줄일 수 있고 또 양산후의 제조비용도 30%정도 낮출 수 있다.
<심규호 기자>