미국 인텔이 오는 99년부터 구경 3백mm 웨이퍼를 사용한 반도체 생산을 시작한다고 「日本經濟新聞」이 7일 보도했다.
이를 위해 인텔은 미국 캘리포니아州와 오레곤州 공장에 각각 5백억엔정도, 합계 약 1천억엔을 투입해 3백mm웨이퍼용 제조라인을 신설하는 한편 0.25미크론과 0.18미크론의 최신 미세가공기술도 도입할 계획이다.
이를 계기로 인텔은 마이크로프로세서(MPU)의 성능향상 및 생산비용 절감을 도모해 나갈 방침이다.
3백mm웨이퍼를 사용해 반도체를 생산하면 현행 2백mm웨이퍼에 비해 장당 2배 많은 칩 생산이 가능해 반도체 개당 생산비를 20% 줄일 수 있는 것으로 알려져 있다.
현재 삼성전자를 비롯해 일본의 NEC 히타치제작소 등도 99년쯤 3백mm 웨이퍼를 사용한 생산라인을 갖출 계획으로 있다.
<신기성 기자>