일본 미쓰비시전기가 오는 10월부터 2백56MD램 샘플 출하를 시작한다.
일본 「일경산업신문」에 따르면 미쓰비시는 19일 차세대 D램인 1백28MD램과 2백56MD램을 각각 오는 7월과 10월 자사 주력공장인 구마모토공장을 통해 생산, 출하할 계획이라고 발표했다.
미쓰비시가 출하를 계획하고 있는 1백28MD램과 2백56MD램은 모두 고속형 제품인 싱크로너스 D램으로, 미국 인텔이 제안한 메모리 버스의 새 규격 「PC100」에 대응한다. 미세가공기술은 회로선폭 0.2미크론급 첨단 프로세스를 채용할 방침이다.
<심규호 기자>