미 IBM이 고속 칩 제조기술인 실리콘 이중막 웨이퍼(SOI) 기술을 발표했다고 「일렉트로닉 바이어스 뉴스」가 보도했다.
IBM은 이 기술을 앞으로 자사 마이크로프로세서 제품에 순차적으로 적용해 30% 이상의 성능 향상을 달성할 계획이라고 밝혔다.
IBM이 이번에 발표한 SOI 기술은 기존 웨이퍼에 절연막을 형성하고 그 위에 다시 실리콘 박막을 형성시켜 트랜지스터의 저항을 줄이는 기술로 저전력 고속 칩을 생산할 수 있도록 해주는 것으로 알려졌다.
이 기술은 그동안 IBM외 일부 반도체 업체에 의해서도 개발돼 왔으나 기술적, 경제적 문제로 인해 상품화가 지체되고 그 적용범위 또한 제한적이라는 한계가 있었다.
IBM은 그러나 이번에 발표한 기술을 우선 서버 및 슈퍼컴 분야에 적용하고 이어 휴대폰 등 임베디드 기기용 칩 분야로 적용범위를 확대할 계획이이서 이 기술에 대한 관심이 한층 고조될 전망이다.
분석가들은 특히 IBM이 앞으로 SOI 기술과 지난해 발표한 구리칩 기술을 칩 제조에 동시에 적용, 칩 성능을 대폭 향상시키게 될 것이라며 이렇게 될 경우 IBM이 기술적인 측면에서 경쟁업체에 1∼2년 앞서는 효과가 있을 것으로 전망했다.
<오세관기자>