후지쯔-AMD, 액세스 속도 100㎱ 8M 플래시메모리 개발

후지쯔와 AMD가 액세스 속도 1백㎱를 실현한 1.8V 단일전원의 8M플래시메모리 「MBM29SL800TD/BD」를 공동 개발하고 최근 수주에 들어갔다.

일본 「전파신문」에 따르면 이 제품은 양사가 지난해 12월부터 업계 최초로 공급하기 시작한 기존 제품보다 억세스 속도를 40% 정도 높인 것으로 0.23 미세가공기술과 회로설계의 최적화를 통해 고속화를 실현했다.

후지쯔와 AMD는 오는 11월부터 합작공장인 후지쯔AMD세미컨덕터를 통해 월 1백만개 규모로 양산을 시작해 휴대전화, PDA 등 휴대형 기기용으로 출하할 계획이다. 가격은 개당1천5백엔이다.

<심규호 기자>