일본의 미쓰비시전기와 마쓰시타전기산업이 시스템온칩 기술개발 분야에서 제휴했다.
「일본경제신문」에 따르면 두 회사는 18일 D램과 로직회로를 하나의 칩에 집적한 D램 혼재 시스템온칩 제조기술을 공동개발키로 합의했다고 발표했다. 제휴기간은 5년으로 양사의 총투자비는 5백억엔, 투입되는 기술인력은 약 1백명 규모다.
이번 제휴의 핵심은 개발비 부담을 줄이면서 첨단 시스템온칩 제조기술을 조기 확립하는 것으로 실제 이들 업체가 목표로 설정한 오는 2001년 0.13㎛급 D램 혼재 시스템온칩 제조기술 개발은 현재 발표된 일본내 경쟁업체들의 목표보다 1세대 정도 빠른 것이다.
미쓰비시전기와 마쓰시타전기산업은 공동개발할 0.13㎛ 제조기술을 바탕으로 2001년부터 1백MD램과 수백만게이트 논리회로를 한 개 칩에 집적한 시스템온칩의 양산에 나설 계획이다. 두 회사는 시제품 생산라인도 공동운영하기로 합의했는데 본격적인 양산과 판매는 독자적으로 추진한다.
2001년의 0.13㎛ 기술 확립에 앞서 두 회사는 1차목표로 내년 말까지 0.15㎛급 D램 혼재 시스템온칩 기술을 공동개발, 2000년부터 이 기술을 사용한 제품을 출하할 예정이다.
현재 D램 혼재 시스템온칩과 관련해서는 일본 최대업체인 NEC가 2000년 후반, 후지쯔·도시바·히타치제작소가 내년 후반에 0.15㎛의 이전 세대제품인 0.18㎛급 생산을 계획하고 있다. 따라서 양사는 이번 제휴를 통해 시장선점에 유리한 고지에 설 수 있을 것으로 예상된다.
전문가들은 이번 양사의 제휴가 단순한 기술협력에 그치지 않고 장기적으로 시스템온칩의 공동개발과 공동생산으로 발전될 가능성이 높다고 보고 있다. 실제로 지난 6월부터의 제휴과정을 통해 두 회사의 제조기술은 80% 이상이 일치하는 것으로 확인된 바 있다. 이와 관련, 마쓰시타전기의 한 고위관계자는 『상황에 따라서는 공동생산도 검토 항목의 하나가 될 것』이라는 견해를 밝힌 것으로 알려졌다.
<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>
