일본 히타치제작소와 영국 케임브리지대학이 주력 반도체 메모리인 D램을 대체할 수 있을 것으로 기대되는 신형 메모리를 공동 개발했다고 「일본경제신문」이 보도했다.
이에 따르면 이번에 개발한 신형 메모리는 PLEDM(Phasestate Low Electronnumber Drive Memory)라는 것으로 히타치유럽과 케임브리지대학 캐븐디시연구소가 공동개발했다.
히타치유럽 등은 실리콘웨이퍼에 전자의 이동을 제어하는 절연막을 미리 장치하는 등 현행의 D램과 전혀 다른 트랜지스터 구조를 채택함으로써 현행 D램과 같은 크기일 경우 기억용량을 2배 가량 늘리고 소비전력은 대폭 줄일 수 있게 됐다고 밝혔다.
히타치와 케임브리지대학은 이 신형 메모리를 오는 2000년 초반에 시험 제작해 2000년 하반기부터 실용화할 계획이다.
세계 반도체 업계가 그동안 PC 등의 주기억 메모리로 대량 사용해 온 D램의 개발 및 양산 설비투자 부담을 줄이기 위해 대체품 개발을 서두르고 있는 가운데 D램 대체품으로 실용화가 가시화된 것은 이번이 처음이다.
히타치측은 『PLEDM은 수 기가비트 단위의 메모리도 저렴한 비용으로 양산할 수 있어 앞으로 컴퓨터뿐만 아니라 디지털가전 등에 폭넓게 적용할 수 있을 것』이라고 설명했다.
<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>