미국 모토롤러가 구리와 저저항 유전체를 이용해 반도체 집적회로(IC)용 다층 금속스택(일시기억장치)을 제조하는 기술을 개발했다고 「일렉트로닉 엔지니어링 타임스」가 보도했다.
모토롤러는 구리와 저저항 유전체인 다공 절연막을 결합한 다층 금속스택을 개발하는데 성공했다며 이 기술을 개선해 이르면 2002년부터 자사 생산제품에 적용할 계획이라고 밝혔다.
구리와 저저항 유전체의 결합은 IC 설계시 의도하지 않은 소자간 간섭으로 인한 와류(Parasitic) 정전용량을 크게 감소시키는 효과가 있어 차세대 초미세 반도체 생산에 기여할 것으로 예상돼 왔는데 이들 물질을 결합하는데 성공한 것은 이번이 처음이다.
모토롤러 연구진은 이번에 구리와의 결합에 성공한 저저항 유전체는 유전상수가 2.0∼2.5로 낮은 무기 다공막이라고 밝혔으나 물질의 세부 구성요소에 대해선 언급하지 않았다. 모토롤러는 이 물질을 파워PC와 고속 S램의 0.18미크론 이중 상감공정에 적용해 상호접속 구조를 형성하는 실험을 수행한 결과, 다중 금속스택 제조가 가능하며 특별한 기술적 문제가 발생하지 않는 것으로 나타났다고 밝혔다.
모토롤러 연구진은 이번에 개발한 기술을 적용하면 6∼7층 구조의 금속스택을 제조하는 데도 어려움이 없을 것으로 예상했다.
<오세관기자 skoh@etnews.co.kr>