일본 히타치제작소는 메모리회로를 고속·고집적화할 수 있는 새로운 설계기술을 개발, 이를 사용해서 세계에서 가장 빠른 액세스 시간을 실현한 S램을 시험제작했다고 「일경산업신문」이 보도했다.
히타치가 시험제작한 S램은 기억용량 1Mb이며 데이터를 읽는데 걸리는 액세스 시간은 종전의 S램(용량 16kb)의 800피코초보다 빠른 550피코초를 실현했다.
히타치는 금속산화막반도체(MOS) 트랜지스터와 바이폴러 트랜지스터 사이에 전압변환 회로를 끼워넣어 고전압이 MOS트랜지스터에 걸리지 않도록 하는 설계방법을 개발, 고속·고집적화를 양립시켰다. 또 데이터를 기록하거나 읽어낼 때 소모되는 전환시간을 단축하는 기술도 개발했다.
이 기술을 사용해서 시험제작한 S램은 메모리셀 면적이 12제곱마이크로미터로 소형이며 회로선폭은 0.2㎛, 동작주파수는 900㎒를 실현했다.
히타치는 이 S램을 연내에 발표하는 차세대 메인프레임에 탑재할 계획이다.
<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>